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J-GLOBAL ID：200903095635188924

固体撮像装置の製造方法

Inventor：
下薗 孝之

About 下薗 孝之

, 
滝澤 律夫

About 滝澤 律夫


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001153012
Publication number (International publication number)：2002353434
Application date： May. 22, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：
【要約】【課題】埋込ゲッターシンク層のゲッタリング能力を有効に発揮させ、固体撮像装置の暗電流に起因した白傷欠陥を低減する。【解決手段】半導体基板10を構成する第1の元素(Si)と同族の第2の元素(たとえば、C)を該半導体基板に導入して埋込ゲッターシンク層12を形成し、半導体基板の表面10aに第1の元素を結晶成長させて結晶成長層13を形成し、半導体基板の裏面に第1の元素と異なる族の第3の元素を導入して外部ゲッターシンク層を形成する場合より低い温度にて、結晶成長層13内およびその上層に固体撮像素子を形成する。あるいは、塩酸を含むガス雰囲気中の酸化により結晶成長層の表面上に外部ゲッターシンク層を形成する場合より低い温度にて、上記固体撮像素子を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板を構成する第1の元素と同族の第2の元素を該半導体基板に導入して埋込ゲッターシンク層を形成し、上記半導体基板の表面に第1の元素を結晶成長させて結晶成長層を形成し、上記半導体基板の裏面に上記第1の元素と異なる族の第3の元素を導入して外部ゲッターシンク層を形成する場合より低い温度にて、上記結晶成長層内およびその上層に固体撮像素子を形成する固体撮像装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 27/148 ,  H01L 21/322
FI (2)：
H01L 21/322 G ,  H01L 27/14 B
F-Term (23)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118DA03 ,  4M118DA28 ,  4M118DB06 ,  4M118DB08 ,  4M118DD03 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA08 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118FA45 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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