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J-GLOBAL ID：200903059210262261

半導体光デバイス装置

Inventor：
下山 謙司

About 下山 謙司

, 
清見 和正

About 清見 和正


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000227025
Publication number (International publication number)：2002043694
Application date： Jul. 27, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 特に高出力時において信頼性の高い半導体光デバイス装置を提供すること。【解決手段】 基板、該基板上に形成された化合物半導体層を有する半導体光デバイス装置であって、前記化合物半導体層は、前記基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1クラッド層上に形成されたストライプ状の開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部及び少なくとも開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第2導電型第2クラッド層を含み、前記化合物半導体層の表面に存在する欠陥の個数が、前記ストライプ状の開口部の直上領域では30個/cm以下であることを特徴とする半導体光デバイス装置。
Claim (excerpt)：
基板、該基板上に形成された化合物半導体層を有する半導体光デバイス装置であって、前記化合物半導体層は、前記基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1クラッド層上に形成されたストライプ状の開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部及び少なくとも開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第2導電型第2クラッド層を含み、前記化合物半導体層の表面に存在する欠陥の個数が、前記ストライプ状の開口部の直上領域では30個/cm以下であることを特徴とする半導体光デバイス装置。
IPC (2)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/343
F-Term (14)：
5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA86 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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