ピストンリング

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998213527
Publication number (International publication number)：1999166625
Application date： Jul. 13, 1998
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】ピストンリング上下面にAl凝着が生じにくく、しかもAl凝着抑止効果が長続きするピストンリングを提供する。【解決手段】ピストンリング1の全表面にガス窒化層2を形成し、上下面のガス窒化層2上に硬質皮膜3を0.5〜30μmの厚さで形成する。硬質皮膜3はSi、Ti、W、Cr、Mo、Nb、Vの群から選ばれた1又は2以上の元素が分散しているダイヤモンドライクカーボンから形成されている。ダイヤモンドライクカーボンは、1.アモルファス炭素構造、2.ダイヤモンド構造を一部有するアモルファス炭素構造、3.グラファイト構造を一部有するアモルファス炭素構造の何れかの形態をとる。上記元素の含有比率は原子%で5〜40%、硬質皮膜3の硬度はHV700〜2000の範囲内にある。上記硬質皮膜3をピストンリング1の上下面に0.5〜30μmの厚さで直接形成してもよい。

Claim (excerpt)：

硬質皮膜が上下面の少なくとも一方の面に形成されているピストンリングにおいて、前記硬質皮膜はSi、Ti、W、Cr、Mo、Nb、Vの群から選ばれた1又は2以上の元素が分散しているダイヤモンドライクカーボンから形成されていることを特徴とするピストンリング。

IPC (3)：

F16J 9/26 , C23C 14/06 , F02F 5/00

FI (3)：

F16J 9/26 C , C23C 14/06 F , F02F 5/00 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-260362
特開昭59-093869
非晶質硬質炭素膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-121047 Applicant：株式会社ゼクセル

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