シリコン発光ダイオード、シリコン光トランジスタ、シリコンレーザー及びそれらの製造方法。

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006120065
Publication number (International publication number)：2007294628
Application date： Apr. 25, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：

【解決手段】本発明による発光素子は、電子を注入する第1の電極部9と、正孔を注入する第2の電極部10と、第1の電極部9及び第2の電極部10と電気的に接続された発光部11,12を備え、発光部11,12を単結晶のシリコンとし、発光部11,12が第1の面(上面)と第1の面に対向する第2の面(下面)を有し、第1及び第2の面の面方位を(100)面とし、第1及び第2の面に直交する方向の発光部の厚さを薄くする。【効果】本発明によれば、シリコンなどの基板上に通常のシリコン・プロセスを用いて容易に形成可能で、かつ、高効率に発光する発光素子を提供する事ができる。【選択図】図5H

Claim (excerpt)：

電子を注入するための第1の電極と、正孔を注入するための第2の電極と、前記第1及び第2の電極と電気的に接続された発光部を有し、前記第1の電極,前記第2の電極及び前記発光部が同一の単結晶材料から構成されており、前記発光部が薄膜であることを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/22

FI (2)：

H01L33/00 A , H01S5/22

F-Term (8)：

5F041AA03 , 5F041CA33 , 5F041CA71 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F173AH40 , 5F173AH48 , 5F173AR99

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

高効率シリコン発光装置及び変調器
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-500977 Applicant：ユニサーチリミテツド
シリコン光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-110030 Applicant：日本電信電話株式会社
発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-291162 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page