シリコン光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003110030
Publication number (International publication number)：2004319668
Application date： Apr. 15, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】シリコンからなるコアと発光部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することを可能とし、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようにする。【解決手段】電極111,112に電位を印加することで、発光部コア103の少なくとも一部を空乏化して発光部コア103にキャリアを注入し、発光部コア103に添加されている希土類元素に加速されたキャリアを衝突させて希土類元素を励起し、発光部コア103において発光を生じさせる。この発光は、導波路型回折格子105,106に閉じ込められ、反射と誘導放出とが繰り返され、導波路型回折格子105側よりレーザ光が発振する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁体からなる下部クラッド層の上に形成され、希土類元素と酸素原子とが添加された単結晶シリコンからなる所定の長さの発光部コアと、前記発光部コアを覆うように形成されたシリコン化合物の絶縁体からなる上部クラッドと、所定の電位が印加される第1電極および第2電極を含み、前記発光部コアの少なくとも一部を空乏化する空乏化手段と、前記発光部コアの一方の光出射端の側に設けられた第1光反射手段と、前記発光部コアの他方の光出射端に設けられ、前記第1光反射手段より反射率の低い第2光反射手段とを有することを特徴とするシリコン光素子。

IPC (4)：

H01S5/042 , G02B6/122 , H01S5/125 , H01S5/30

FI (4)：

H01S5/042 , H01S5/125 , H01S5/30 , G02B6/12 B

F-Term (17)：

2H047KA04 , 2H047KA11 , 2H047LA01 , 2H047MA07 , 2H047PA30 , 2H047QA02 , 5F073AA13 , 5F073AA65 , 5F073BA01 , 5F073BA09 , 5F073CA24 , 5F073CB04 , 5F073CB13 , 5F073CB22 , 5F073DA14 , 5F073DA21 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光増幅装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-143644 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
希土類をド-プした半導体構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-039658 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
レ-ザ-およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-372032 Applicant：理化学研究所

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