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J-GLOBAL ID:200903059376485412
メモリ回路及びデータ読み出し方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002331272
Publication number (International publication number):2004164774
Application date: Nov. 14, 2002
Publication date: Jun. 10, 2004
Summary:
【課題】ワード線の充電または、放電する際の消費電力を低減させる。【解決手段】本発明は、ワード線に、緩やかに上昇下降する波形の電荷再利用型電源を接続し、該電荷再利用型電源からの出力電圧により充電または放電を行う。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
複数の記憶素子と、該記憶素子に接続される複数のワード線と、該ビット線を充電する定電圧電源と、該ビット線が充電された後に該ワード線により選択された記憶素子の状態により、電流が接地方向に流れる場合に該ビット線の電圧が低下し、電流が流れない場合に該ビット線の電圧が保たれるという、該電圧の違いを識別して、該記憶素子の状態を判定する判定回路とを有するメモリ回路であって、
前記ワード線に対して、緩やかに上昇下降する波形の電荷再利用型電源からの出力電圧により充電または放電を行う手段を、有することを特徴とするメモリ回路。
IPC (2):
FI (3):
G11C17/00 633B
, G11C17/00 632Z
, G11C17/00 622E
F-Term (5):
5B025AA01
, 5B025AC01
, 5B025AD03
, 5B025AD09
, 5B025AE06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-084788
Applicant:シャープ株式会社
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特開昭57-123596
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断熱充電論理回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-249228
Applicant:日本電信電話株式会社
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半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-116427
Applicant:三菱電機株式会社, 株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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