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J-GLOBAL ID：200903059466081434

半導体検査装置

Inventor：
森 親臣

About 森 親臣


Applicant, Patent owner：
日本電子材料株式会社

About 日本電子材料株式会社


Agent (1)： ▲吉▼川 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007148376
Publication number (International publication number)：2008298749
Application date： Jun. 04, 2007
Publication date： Dec. 11, 2008
Summary：
【課題】検査時の温度変化によるプローブ先端の位置ずれ量を少なくするために、プローブカード基板を加熱し、その熱膨張量を制御することが可能な半導体検査装置を提供することを目的とする。【解決手段】検査対象物にコンタクトする複数のプローブおよび上記プローブが接合されたプローブカード基板を備えた半導体検査装置であり、上記プローブの先端の位置を、予め上記検査対象物が冷却されて収縮した位置に合わせて設定し、上記プローブカード基板を加熱し熱変形させるための発熱体を上記プローブカード基板内部に層状に設け、任意の温度において、上記検査対象物と上記プローブ先端の位置ずれ量を小さくするために、上記発熱体による加熱量を制御する加熱制御手段を備える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
検査対象物にコンタクトする複数のプローブおよび上記プローブが接合されたプローブカード基板を備えた半導体検査装置であって、 上記プローブの先端の位置を、予め上記検査対象物が冷却されて収縮した位置に合わせて設定し、上記プローブカード基板を加熱し熱変形させるための発熱体を上記プローブカード基板内部に層状に設け、任意の温度において、上記検査対象物と上記プローブ先端の位置ずれ量を小さくするために、上記発熱体による加熱量を制御する加熱制御手段を備えることを特徴とする半導体検査装置。
IPC (3)：
G01R 31/28 ,  G01R 1/073 ,  H01L 21/66
FI (3)：
G01R31/28 K ,  G01R1/073 E ,  H01L21/66 H
F-Term (21)：
2G011AA17 ,  2G011AB06 ,  2G011AB07 ,  2G011AB10 ,  2G011AC06 ,  2G011AC14 ,  2G011AE03 ,  2G011AF07 ,  2G132AA00 ,  2G132AF06 ,  2G132AF20 ,  2G132AL03 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA27 ,  4M106CA60 ,  4M106CA62 ,  4M106DH44 ,  4M106DH45 ,  4M106DJ07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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