パターン形成方法およびパターン形成装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996132013
Publication number (International publication number)：1997320930
Application date： May. 27, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】化学増幅型ポジレジストを用いたパターン形成において、露光後の熱処理時の環境が適切にして、パターンの解像度および形状を向上させる。【解決手段】露光後の熱処理時に、温度23°C、湿度45〜55%の空気を送りながら、半導体ウエハ1をホットプレートで加熱する。

Claim (excerpt)：

化学増幅型ポジレジスト膜が形成された半導体ウエハに対して選択的に露光を行う第1の工程と、上記露光された半導体ウエハを熱処理する第2の工程と、上記熱処理された半導体ウエハを現像処理する第3の工程とを含むパターン形成方法において、温度23°C、湿度45〜55%の空気と等価な水分を含む気体を供給した雰囲気で、上記第2の工程を実施することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 7/38 511

FI (3)：

H01L 21/30 566 , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 567

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

レジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-197307 Applicant：東京応化工業株式会社
レジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-036037 Applicant：日本電気株式会社
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-235134 Applicant：株式会社東芝

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