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J-GLOBAL ID：200903059591527371

抵抗変化型素子

Inventor：
川野 浩康

About 川野 浩康

, 
庄野 敬二

About 庄野 敬二


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (4)： 吉田 稔 ,  田中 達也 ,  仙波 司 ,  鈴木 泰光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008057542
Publication number (International publication number)：2009218260
Application date： Mar. 07, 2008
Publication date： Sep. 24, 2009
Summary：
【課題】大きな抵抗変化率を実現するのに適した抵抗変化型素子を提供すること。【解決手段】本発明の抵抗変化型素子X1は、例えば、電極1と、電極2と、これらの間に位置する酸素供給層3と、酸素供給層3および電極2の間に位置する酸素受容層4とを含む積層構造を有する。酸素供給層3は、酸素受容層4に酸素イオンを供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸素受容層4から酸素イオンを受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。酸素受容層4は、酸化物を形成せずに酸素供給層3から酸素イオンを受容することが可能であり、且つ、受容した酸素イオンを酸素供給層3に供与することが可能である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1電極と、 第2電極と、 前記第1および第2電極の間に位置する酸素供給層と、 前記酸素供給層および前記第2電極の間に位置する酸素受容層と、を含む積層構造を有し、 前記酸素供給層は、前記酸素受容層に酸素イオンを供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記酸素受容層から酸素イオンを受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、 前記酸素受容層は、酸化物を形成せずに前記酸素供給層から酸素イオンを受容することが可能であり、且つ、受容した酸素イオンを前記酸素供給層に供与することが可能である、抵抗変化型素子。
IPC (3)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (3)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
F-Term (7)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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