半導体素子の製造方法および半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002055908
Publication number (International publication number)：2003257907
Application date： Mar. 01, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】割れ難く、半導体素子基板への汚染が少なく、薄く薄層化でき、後の基板剥離や洗浄が容易な薄層化工程を備える。【解決手段】半導体素子基板11は熱発泡性接着シート12によって支持基板13と一体に接着され、真空吸着用座盤14に真空吸着されて固定される。その結果、熱発泡性接着シート12の熱発泡接着層が衝撃緩和層として機能し、ダメージを受け易いGaAs半導体素子基板でも高速研削で割れ難く、30μm程度までの薄層化できる。また、ワックスを用いた半導体素子基板11の固定や油性研磨剤による研磨の必要がなく、ワックスやオイル等の汚染を避けて洗浄を簡単にできる。また、130°Cに加熱することによって熱発泡性接着シート12の熱発泡接着層が発泡して半導体素子基板11を容易に分離できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に素子が形成されて成る半導体素子基板を支持基板に両面接着シートで接着して、上記半導体素子基板と両面接着シートと支持基板とを一体化させ、上記両面接着シートおよび支持基板と一体化された半導体素子基板に対して水を使用する薄層化処理を行う薄層化工程を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 631 , H01L 21/301 , H01L 21/68

FI (5)：

H01L 21/304 622 G , H01L 21/304 631 , H01L 21/68 N , H01L 21/68 P , H01L 21/78 M

F-Term (7)：

5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA05 , 5F031HA13 , 5F031HA78 , 5F031MA22 , 5F031PA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-004412 Applicant：株式会社東芝
特開平2-269564
特開昭62-162468

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