突起電極を有する半導体装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997016103
Publication number (International publication number)：1998027824
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】小型化に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体素子の能動層を被覆して保護層が形成され、保護層には半導体素子の能動面に設けられた素子電極を臨ませた開口部が形成されている。開口部の内部には素子電極を被覆するバリア層と、バリア層を被覆した拡散防止層と、拡散防止層上に設けられた突起電極が形成される。突起電極は好ましくはバリア層、素子電極よりも硬度の低い材料が用いられる。

Claim (excerpt)：

半導体素子の能動面を被覆して形成され、前記半導体素子の能動面に設けられた素子電極を臨ませた開口部を有する保護層と、前記開口部の内部において前記素子電極を被覆するバリア層と、前記バリア層を被覆した拡散防止層と、前記拡散防止層上に設けられた突起電極とを有することを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置及びその製造方法、半導体装置におけるバンプ密着性評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-290948 Applicant：富士通株式会社
電子部品の接続構造および接続方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-227385 Applicant：カシオ計算機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-244416 Applicant：株式会社日立製作所

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