Pat
J-GLOBAL ID：200903059780718897

窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法

Inventor：
上野 昌紀

About 上野 昌紀


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008101576
Publication number (International publication number)：2009253154
Application date： Apr. 09, 2008
Publication date： Oct. 29, 2009
Summary：
【課題】半極性面を有するGaNウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。【解決手段】けがき線51aはエッジ部EDGE1に形成されており、エッジ部EDGE1では、上面と側面が鋭角を成す。また、けがき線51aはm軸に直交する方向に延びる基準線LINEに沿って延びている。けがき線51aは、基準線LINEに沿って延びる溝を含む。けがき線51aはエッジ部EDGE2には形成されていない。エッジ部EDGE2では、上面と側面が鈍角を成す。けがき線51aの形成はレーザけがき装置を用いて行われることができる。或いは、けがき線51aは、けがき針及びダイヤモンド針等を用いるけがき装置によって形成されることができる。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法であって、 GaNのc面に関してa軸の方向に傾斜した主面及び該GaNのc軸方向に延びる側面とを有するGaNウエハと、前記GaNウエハの主面上に成長された複数の窒化ガリウム系半導体層を含み該GaNのc軸方向に延びる側面を有する積層体と、前記積層体の上面にアレイ状に形成され前記GaNのm軸方向に延びる電極とを備えるウエハ生産物を準備する工程と、 前記ウエハ生産物の表面のエッジにけがき線を形成する工程と、 前記けがき線を形成した後に、前記ウエハ生産物の裏面に力を加えて前記ウエハ生産物を劈開する工程と を備え、 前記ウエハ生産物の前記エッジは、前記ウエハ生産物の前記表面と前記積層体の前記側面とが鋭角を成す第1のエッジ部と、前記ウエハ生産物の前記表面と前記積層体の前記側面とが鈍角を成す第2のエッジ部とを有しており、 前記けがき線は、前記第1のエッジ部に形成されており、 前記けがき線は、m軸に交差する方向に延びる基準線に沿って延びている、ことを特徴とする方法。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/301
FI (4)：
H01S5/323 610 ,  H01L21/78 G ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 U
F-Term (10)：
5F173AA05 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP83 ,  5F173AP84 ,  5F173AP85 ,  5F173AP94 ,  5F173AR99
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM