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J-GLOBAL ID：200903007938754608

窒化物半導体装置

Inventor：
石田 昌宏

About 石田 昌宏


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000367964
Publication number (International publication number)：2001230497
Application date： Dec. 04, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】 活性層などの機能領域における組成分離を低減することにより、窒化物半導体装置の歩留まりを向上させる。【解決手段】 主面を{11-20}面に垂直で且つ{0001}面から所定の角度だけ傾斜した面とするn型の窒化ガリウム基板10の上に、n型AlGaN層よりなる第1のクラッド層11、n型GaN層よりなる第1の光ガイド層12、アンドープInGaN層よりなり量子井戸構造を有する活性層13、p型GaN層よりなる第2の光ガイド層14、p型AlGaN層よりなる第2のクラッド層15及びn型AlGaN層よりなる電流ブロック層16を順次成長させる。電流ブロック層16にストライプ状の電流狭窄領域を形成した後、電流ブロック層16の上に、p型AlGaN層よりなる第3のクラッド層17及びp型GaN層よりなるコンタクト層18を順次成長させる。
Claim (excerpt)：
窒素を含むIII-V族化合物半導体からなる基板と、前記基板の主面上に形成された窒素を含むIII-V族化合物半導体層からなる機能領域とを備え、前記基板の主面は{0001}面から13°以上且つ90°以下傾斜した面であることを特徴とする窒化物半導体装置。
F-Term (9)：
5F073AA12 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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