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J-GLOBAL ID：200903014229184667

窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法

Inventor：
小崎 徳也

About 小崎 徳也

, 
坂本 恵司

About 坂本 恵司

, 
松村 拓明

About 松村 拓明


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004162682
Publication number (International publication number)：2005159278
Application date： Jun. 01, 2004
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：
【課題】 接触抵抗が低減された対向電極構造の窒化物半導体素子、及びその製造方法を提供することを本発明の目的とする。【解決手段】 第1の主面と第2の主面とを有する窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板の第1の主面上に積層された窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成されたリッジ形状のストライプとを有し、前記リッジ形状のストライプ長さ方向に対して垂直な方向に光導波路を構成する共振面を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記窒化物半導体基板には、結晶成長面が(0001)面からなる第1の領域と、少なくとも第1の領域と異なる結晶成長面を有する第2の領域とを備えており、前記第2の主面の第2の領域には凹部溝を形成している。前記窒化物半導体基板の第1の主面の上部にリッジ形状のストライプを有する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
第1の主面と第2の主面とを有する窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板の第1の主面上に積層された窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成されたリッジ形状のストライプとを有し、前記リッジ形状のストライプ長さ方向に対して垂直な方向に光導波路を構成する共振面を有する窒化物半導体レーザ素子において、 前記窒化物半導体基板の第1の主面には、結晶成長面が(0001)面からなる第1の領域と、少なくとも第1の領域と異なる結晶成長面を有する第2の領域とを備えており、且つ前記第1の主面、及び/又は第2の主面の第2の領域には凹部溝を形成していることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1)：
H01S5/323
FI (1)：
H01S5/323 610
F-Term (13)：
5F173AA08 ,  5F173AF25 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP07 ,  5F173AP19 ,  5F173AP33 ,  5F173AP82 ,  5F173AP83 ,  5F173AQ02 ,  5F173AR96 ,  5F173AR99
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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