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J-GLOBAL ID：200903051479579694

半導体発光素子の製造方法

Inventor： 長谷川 義晃 ,  大仲 清司 ,  大塚 信之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001296821
Publication number (International publication number)：2003101158
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、GaN系紫色レーザの共振器端面をへき開で高歩留りで形成する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板の主面上に成長した窒化物系III-V族化合物からなる半導体層において、前記基板の裏面をスクライブすることによって、前記半導体層をへき開する工程を特徴とする半導体発光素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板の主面上に成長した窒化物系III-V族化合物からなる半導体層において、前記基板の裏面をスクライブすることによって、前記半導体層をへき開する工程を特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/343 610 ,  B28D 5/00

FI (2)：

H01S 5/343 610 ,  B28D 5/00 A

F-Term (11)：

3C069AA02 ,  3C069AA03 ,  3C069CA06 ,  3C069EA02 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-023297   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-156016   Applicant：ローム株式会社
• 半導体装置の製造方法及びその構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-267997   Applicant：三菱電機株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092403   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-080288   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-097071   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-353044   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-301585   Applicant：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-367614   Applicant：豊田合成株式会社
• III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-367613   Applicant：豊田合成株式会社