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J-GLOBAL ID：200903059808836556

金属酸化膜のエッチング方法

Inventor：
土澤 泰

About 土澤 泰

, 
神 好人

About 神 好人


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005150087
Publication number (International publication number)：2006332138
Application date： May. 23, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：
【課題】金属酸化膜のエッチングに物理スパッタを用いると、膜にダメージを与え、デバイス特性に悪影響を与えるという問題があった。【解決手段】プラズマで反応性ガスを活性化させ、活性化した反応性ガスを金属酸化膜44にあてて、金属酸化膜44をエッチングする。これにより、同じエッチレートを得るのに、従来のような高エネルギーイオンを照射する必要がなくなる。また、金属酸化膜44を100°C以上に加熱してエッチングを行う。さらに、エッチレートを50nm/min以下に調整する。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
基板を固定する固定台と、この固定台を収容する容器と、この容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備えたプラズマ装置を用いたエッチング方法において、 Bi金属とTi金属と酸素とからなる金属酸化膜が形成された基板を前記固定台に固定するステップと、 前記容器内にプラズマガスを導入し、前記プラズマ生成手段を用いて前記プラズマガスからプラズマを生成するステップと、 前記容器内に反応性ガスを導入し、この反応性ガスを前記プラズマで活性化させるステップと、 活性化した前記反応性ガスを前記金属酸化膜にあてて前記金属酸化膜をエッチングするステップと を備えることを特徴とする金属酸化膜のエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/306 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (2)：
H01L21/302 104Z ,  H01L27/10 444B
F-Term (16)：
5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA18 ,  5F004DB13 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-033206   Applicant：新日本製鐵株式会社
Cited by examiner (4)
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