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J-GLOBAL ID：200903059869061034

抵抗変化素子、抵抗変化メモリおよびそれらの作製方法

Inventor： 山崎 隆浩 ,  木下 健太郎
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007213743
Publication number (International publication number)：2009049183
Application date： Aug. 20, 2007
Publication date： Mar. 05, 2009
Summary：

【課題】抵抗変化素子のスイッチング動作にともなう消費電力、及び/又は初期フォーミング電圧を低減する。【解決手段】抵抗変化素子は、一対の金属電極にはさまれた抵抗変化膜を有し、前記抵抗変化膜は、1%〜5%の濃度の窒素原子及び金属酸化物を含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

一対の金属電極にはさまれた抵抗変化膜を有する抵抗変化素子であって、 前記抵抗変化膜は、1%〜5%の濃度の窒素原子及び金属酸化物を含むことを特徴とする抵抗変化素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (8)：

5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F083PR36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-348039   Applicant：三星電子株式会社
• 可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-375852   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (4)

• 抵抗変化型記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-375259   Applicant：富士通株式会社
• 電気抵抗変化素子およびこの電気抵抗変化素子を備えた半導体装置ならびにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-094630   Applicant：株式会社東芝
• 可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-375852   Applicant：シャープ株式会社
• 不揮発性メモリ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-362024   Applicant：エルピーダメモリ株式会社