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J-GLOBAL ID：200903060069810509

ナノ製造

Inventor： トミーネン、マーク ティ. ,  ラッセル、トーマス ピー. ,  ウァザッヘ、アンドレイ ,  バル、ムスタファ
Applicant, Patent owner： ユニバーシティー オブ マサチューセッツ
Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002572644
Publication number (International publication number)：2004527905
Application date： Mar. 14, 2002
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：

3次元ナノ構造の高速かつ信頼性の高い製造方法。秩序立てた多レベル・ナノ構造を生産する簡単な方法について説明する。この方法は、放射線源に選択的に露出して、ブロック共重合体テンプレートにパターン形成することによって達成される。結果としての多スケール・リソグラフィ・テンプレートを、製造後ステップで処理して、多レベル3次元集積ナノスケール媒体、装置およびシステムを生産することができる。

Claim (excerpt)：

多層ナノ構造であって、 少なくとも一部が導体または半導体である基板表面と、 前記導体または半導体基板表面から延在する少なくとも1セットのナノワイヤとを備え、前記ナノワイヤの一方の端部が、前記導体または半導体表面と電気的に連絡している多層ナノ構造。

IPC (6)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

FI (6)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  H01J9/02 B ,  H01J31/12 C ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

F-Term (14)：

5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF05 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11 ,  5C127AA01 ,  5C127BA05 ,  5C127BA15 ,  5C127CC02 ,  5C127DD43 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ナノスケール導体アセンブリとその製造方法、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、及びディスプレイ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-216032   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 特許第6187165号
  
• 垂直にナノ相互接続された回路デバイスからなる製品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-324945   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• ナノスケール構造体アセンブリ、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、ディスプレイ装置、及び電界放出構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-215600   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド