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J-GLOBAL ID:200903060069810509
ナノ製造
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
恩田 博宣
, 恩田 誠
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002572644
Publication number (International publication number):2004527905
Application date: Mar. 14, 2002
Publication date: Sep. 09, 2004
Summary:
3次元ナノ構造の高速かつ信頼性の高い製造方法。秩序立てた多レベル・ナノ構造を生産する簡単な方法について説明する。この方法は、放射線源に選択的に露出して、ブロック共重合体テンプレートにパターン形成することによって達成される。結果としての多スケール・リソグラフィ・テンプレートを、製造後ステップで処理して、多レベル3次元集積ナノスケール媒体、装置およびシステムを生産することができる。
Claim (excerpt):
多層ナノ構造であって、
少なくとも一部が導体または半導体である基板表面と、
前記導体または半導体基板表面から延在する少なくとも1セットのナノワイヤとを備え、前記ナノワイヤの一方の端部が、前記導体または半導体表面と電気的に連絡している多層ナノ構造。
IPC (6):
H01L29/06
, B82B1/00
, H01J9/02
, H01J31/12
, H01L27/105
, H01L43/08
FI (6):
H01L29/06 601N
, B82B1/00
, H01J9/02 B
, H01J31/12 C
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
F-Term (14):
5C036EE19
, 5C036EF01
, 5C036EF05
, 5C036EF09
, 5C036EG12
, 5C036EH11
, 5C127AA01
, 5C127BA05
, 5C127BA15
, 5C127CC02
, 5C127DD43
, 5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083JA60
Patent cited by the Patent: