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J-GLOBAL ID:200903060069810509

ナノ製造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002572644
Publication number (International publication number):2004527905
Application date: Mar. 14, 2002
Publication date: Sep. 09, 2004
Summary:
3次元ナノ構造の高速かつ信頼性の高い製造方法。秩序立てた多レベル・ナノ構造を生産する簡単な方法について説明する。この方法は、放射線源に選択的に露出して、ブロック共重合体テンプレートにパターン形成することによって達成される。結果としての多スケール・リソグラフィ・テンプレートを、製造後ステップで処理して、多レベル3次元集積ナノスケール媒体、装置およびシステムを生産することができる。
Claim (excerpt):
多層ナノ構造であって、 少なくとも一部が導体または半導体である基板表面と、 前記導体または半導体基板表面から延在する少なくとも1セットのナノワイヤとを備え、前記ナノワイヤの一方の端部が、前記導体または半導体表面と電気的に連絡している多層ナノ構造。
IPC (6):
H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (6):
H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  H01J9/02 B ,  H01J31/12 C ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
F-Term (14):
5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF05 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11 ,  5C127AA01 ,  5C127BA05 ,  5C127BA15 ,  5C127CC02 ,  5C127DD43 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA60
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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