高圧処理装置

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小笠原史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001136512
Publication number (International publication number)：2002334860
Application date： May. 07, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】高圧状態の処理流体による基板処理に加え、低圧状態の処理流体による基板処理を行うことにより、処理性能の効果的な向上及び処理時間の短縮を図ることが可能な高圧処理装置を提供する。【解決手段】まず、バルブV1,V3が開栓、バルブV2が閉栓されて、基板洗浄槽5で高圧状態の超臨界二酸化炭素による基板洗浄が行われる。次に、高圧状態の超臨界二酸化炭素による基板洗浄が所定の時間行われると、バルブV1,V3が閉栓、バルブV2が開栓される。これにより、基板洗浄槽5内の高圧状態の超臨界二酸化炭素がバッファタンク6に流入し、槽内の圧力がタンク容量に応じて低下する。よって、基板洗浄槽5では、膨張した低圧状態の超臨界二酸化炭素による基板洗浄が行われる。この低圧状態の超臨界二酸化炭素は、圧縮機9で所定の圧力まで昇圧された後、減圧器7へ送出される。

Claim (excerpt)：

処理流体を用いて基板に所定の処理を施す高圧処理装置であって、処理流体を供給する供給部と、前記供給部から供給された処理流体を高圧状態に変化させて、処理槽内に設置された基板を高圧処理流体と接触させて処理する基板処理部と、前記処理槽内の高圧処理流体を所定の圧力まで減圧させる減圧部と、前記減圧部で減圧された処理流体を下流に送出するのに必要な圧力まで昇圧させる昇圧部とを備えることを特徴とする、高圧処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 647 , H01L 21/304 648 , B08B 3/08 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500

FI (6)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 647 Z , H01L 21/304 648 G , B08B 3/08 A , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500

F-Term (11)：

2H088FA21 , 2H088HA01 , 2H090JC19 , 3B201AA02 , 3B201AA03 , 3B201BB02 , 3B201BB82 , 3B201BB90 , 3B201BB91 , 3B201CC11 , 3B201CD22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

超臨界又は亜臨界流体を用いた洗浄方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-119605 Applicant：株式会社アイテック
半導体ウエーハ洗浄装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-353936 Applicant：バブコック日立株式会社
超臨界および亜臨界流体を用いた洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-095151 Applicant：シューズリフレッシャー開発協同組合

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