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J-GLOBAL ID:200903060451274366

反射型液晶表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小橋 信淳
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995225562
Publication number (International publication number):1997068726
Application date: Sep. 01, 1995
Publication date: Mar. 11, 1997
Summary:
【要約】【課題】一体的形成可能な表示パネルを高精細化できる反射型液晶表示装置の実現。【解決手段】パネルの半導体基板に、表示データをデータラインに出力するデータドライバと、走査タイミングに応じたスキャンパルスをスキャンラインに送出するスキャンドライバと、マトリクス状画素ごとに配設され該当データラインと該当画素電極との間の導通遮断を該当スキャンラインのスキャンパルスに応じて切換制御するスイッチング素子とが設けられた反射型液晶表示装置において、少なくともスイッチング素子21,22はそれぞれがSOI型ポリシリコンTFTであり、少なくともスキャンドライバはトランジスタ71a,72aがバルクシリコン型MOSトランジスタである。
Claim (excerpt):
半導体基板とこれに対向する透明基板とこれらの基板間に封入された液晶とを有してなり画素がマトリクス状に配設されたパネルを備え、前記半導体基板の前記液晶側表面上には、前記マトリクス状画素の各列及び各行の何れか一方ごとに形成されたデータラインと、前記マトリクス状画素の各列及び各行の何れか他方ごとに形成されたスキャンラインと、受けた表示データを前記データラインに出力するデータドライバと、走査タイミングに応じたスキャンパルスを前記スキャンラインに出力するスキャンドライバと、前記マトリクス状画素ごとに配設され該当データラインと該当画素電極との間の導通遮断を該当スキャンラインのスキャンパルスに応じて切換制御するスイッチング素子とが設けられた反射型液晶表示装置において、少なくとも前記スイッチング素子はそれぞれがSOI型ポリシリコンTFTであり、少なくとも前記スキャンドライバはトランジスタがバルクシリコン型MOSトランジスタであることを特徴とする反射型液晶表示装置。
IPC (2):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
FI (2):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 613 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
  • 液晶表示装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-293686   Applicant:富士通株式会社
  • 液晶表示装置およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-170753   Applicant:株式会社高度映像技術研究所
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-120699   Applicant:セイコー電子工業株式会社
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