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J-GLOBAL ID：200903060530620067

磁気ランダムアクセスメモリ装置

Inventor：
中尾 宏

About 中尾 宏


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000058098
Publication number (International publication number)：2001250206
Application date： Mar. 03, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 磁気ランダムアクセスメモリ装置に関し、低電流で書き込み可能にするとともに、磁気抵抗変化比を向上する。【解決手段】 磁化方向が固定された第1の強磁性体層1と磁化方向の回転が可能な第2の強磁性体層2との間に絶縁体膜3或いは導電体膜のいずれかを挟持したメモリセルアレイからなる磁気ランダムアクセスメモリ装置の、前記磁化方向が固定された第1の強磁性体層1のみを、スピン分極率が0.9以上の強磁性材料で構成する。
Claim (excerpt)：
磁化方向が固定された第1の強磁性体層と磁化方向の回転が可能な第2の強磁性体層との間に絶縁体膜或いは導電体膜のいずれかを挟持したメモリセルアレイからなる磁気ランダムアクセスメモリ装置において、前記磁化方向が固定された第1の強磁性体層のみを、スピン分極率が0.9以上の強磁性材料で構成することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ装置。
IPC (4)：
G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (4)：
G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z
F-Term (4)：
5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BB08 ,  5D034CA00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (3)

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