強磁性トンネル接合素子と磁気ヘッドと磁気メモリ

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999238726
Publication number (International publication number)：2001068757
Application date： Aug. 25, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】交換バイアス型強磁性トンネル素子において、Mn系規則合金を反強磁性体として用いる際に必要とされる高温、長時間の熱処理によっても特性の劣化がなく、高い磁気抵抗変化率を示す強磁性トンネル接合素子を得る。【解決手段】トンネルバリア層13と隣接するように、Ni、またはNiを含む合金、またはNiを含む化合物強磁性層14を配置し、かつMn系規則合金反強磁性層16と隣接するようにCo、またはCoを含む合金、またはCoを含む化合物強磁性層15を配置する。また、磁気抵抗効果素子は、強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、反強磁性層側に位置する強磁性層(固定層)が少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜より構成されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、前記反強磁性層側に位置する強磁性層(固定層)が、少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜よりなり、前記反強磁性層と接した前記強磁性体膜がCo、またはCoを含む合金、またはCoを含む化合物であり、前記トンネルバリア層と接した前記強磁性体膜がNi、またはNiを含む合金、またはNiを含む化合物であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/32

FI (3)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/32

F-Term (12)：

5D034BA03 , 5D034BA09 , 5D034BA18 , 5D034BA21 , 5D034CA03 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049BA12 , 5E049CB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

磁気トンネル接合素子及び読取りセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-257921 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
強磁性トンネル接合磁気センサ、その製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録/再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-060069 Applicant：富士通株式会社
磁性積層体とそれを用いた磁気センサ及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-340940 Applicant：株式会社日立製作所

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