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J-GLOBAL ID：200903060553899964

化学気相成長用ビスマスターシャリアルコキシド原料 溶液及びそれを用いたビスマス層状酸化物薄膜の製造 方法

Inventor：
門倉 秀公

About 門倉 秀公

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奥原 弓恵

About 奥原 弓恵

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石井 理

About 石井 理


Applicant, Patent owner：
株式会社高純度化学研究所

About 株式会社高純度化学研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998188044
Publication number (International publication number)：1999343572
Application date： May. 29, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ビスマス層状酸化物薄膜をCVD法で製造するために、保存安定性が高く、気化時にパーティクルの発生が少ないBi(OtBu)3もしくはBi(OtAm)3原料溶液を提供することである。さらにはBiに加え、ダブルアルコキシド(SrxBay)1(NbpTaq)2(OR)12(R=C2H5またはi-C3H7、x+y-1,p+q=1)を同一溶液中に含み長期間使用できる原料溶液を提供することである。【解決手段】 溶媒として脂肪族飽和炭化水素CnH2n+2(n=5,6,7,8)の少なくとも一つからなるものを使用する。n-ヘキサンにBi(OtAm)30.15mol/lとSrTa2(OEt)120.05mol/lを溶かした溶液は微淡黄色、完全透明で1カ月保存でも全く変質は見られなかった。この溶液を用いて、0.2cc/minで気化室に送液し溶液フラッシュCVDを行い、平坦性のよいBi層状ペロブスカイト構造の膜Sr1.0Bi2.4Ta2.0O9を得た。
Claim (excerpt)：
ビスマスターシャリブトキシドまたはビスマスターシャリアミロキシドを脂肪族飽和炭化水素CnH2n+2(n=5,6,7,8)の少なくとも一つからなる溶媒に溶解してなることを特徴とする化学気相成長用原料溶液。
IPC (2)：
C23C 16/40 ,  H01F 41/28
FI (2)：
C23C 16/40 ,  H01F 41/28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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