Bi層状構造強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996119350
Publication number (International publication number)：1997301716
Application date： May. 14, 1996
Publication date： Nov. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】所望の組成のBi層状構造強誘電体薄膜を再現性良く形成することができるBi層状構造強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】成長室5内が減圧状態のCVD装置の収容槽1aにSr[Ta(OC2H5)6]2を、収容槽1bにBi(OC(CH3)2C2H5)3を封入し、Sr[Ta(OC2H5)6]2 用の第1の供給系(収容槽1a、配管16a)を150°Cに保持し、Bi(OC(CH3)2C2H5)3用の第2の供給系(収容槽1b、配管16b)を80°Cに保持し、キャリアガスであるN2 を第1の供給系及び第2の供給系に流すことにより、Sr[Ta(OC2H5)6]2 およびBi(OC(CH3)2C2H5)3 の蒸気を成膜室5内に導入する。これと同時に成膜室5内に酸素(ガス)を導入して、成膜室5内のその表面にPtが成膜され、加熱されたSiウエハ8上にて前記二種の蒸気ガスを熱分解させる。

Claim (excerpt)：

下記一般式(化1)で表されるBi(ビスマス)層状構造強誘電体の薄膜を製造する方法であって、Biを含む有機化合物と、下記一般式(化2)で表される金属アルコキシド化合物の1種以上であって、下記一般式(化1)中のA1〜An及びB1〜Btに相当する種類の金属元素を含む金属アルコキシド化合物を原料として用いることを特徴とするBi層状構造強誘電体薄膜の製造方法。【化1】【化2】

IPC (3)：

C01G 29/00 , C23C 16/40 , H01G 4/33

FI (3)：

C01G 29/00 , C23C 16/40 , H01G 4/06 102

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-273386 Applicant：株式会社高純度化学研究所
ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-296313 Applicant：株式会社高純度化学研究所
ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-296314 Applicant：株式会社高純度化学研究所

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