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J-GLOBAL ID:200903060567401624

スピンバルブ型薄膜素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996334142
Publication number (International publication number):1998177706
Application date: Dec. 13, 1996
Publication date: Jun. 30, 1998
Summary:
【要約】【課題】 デュアル型のスピンバルブ膜は7層で構成されているが、さらに層の総数を増やし電子散乱の起こる場所を増やせば抵抗変化率は向上すると推測される。しかし、層の総数を増やせばスピンバルブ膜の膜厚は大きくなり、磁気ギャップ長は大きくなる。従来では反強磁性層にNiMn合金が使用されており、前記反強磁性層の膜厚は数百オングストロームと大きくなっていた。また、交換異方性磁界を発揮させるための熱処理温度が高く、非磁性導電層と固定磁性層の界面の拡散を生じやすくなっていた。【解決手段】 スピンバルブ膜の反強磁性層4にPtMn膜を使用する。これにより比較的低い熱処理温度で、しかも前記反強磁性層4の膜厚を小さくしても十分な交換異方性磁界を得ることができる。よってスピンバルブ膜の層の総数を増やして抵抗変化率を大きくすることができると同時にスピンバルブ膜の総合膜厚h3を比較的小さくできる。
Claim (excerpt):
反強磁性層との交換異方性結合により磁化が一定の方向に固定される固定磁性層と、磁気記録媒体からの洩れ磁界により磁化の方向が変動するフリー磁性層とを有するスピンバルブ型薄膜素子において、フリー磁性層の上に非磁性導電層、固定磁性層が連続して積層された第1の多層膜と、固定磁性層の上に非磁性導電層、フリー磁性層が連続して積層された第2の多層膜とを有し、前記第1の多層膜の上に反強磁性層を介して前記第2の多層膜が積層されており、前記第1の多層膜と第2の多層膜に定常電流を与える導電層が設けられていることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
IPC (3):
G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08
FI (3):
G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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