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J-GLOBAL ID：200903060607168260

電気的にプログラム可能な抵抗特性を有する、クロストークが低いクロスポイントメモリ

Inventor：
シェン テン スー

About シェン テン スー

, 
ウェイ-ウェイ サン

About ウェイ-ウェイ サン


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002152419
Publication number (International publication number)：2003068983
Application date： May. 27, 2002
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 クロストークが低い、電気的な抵抗特性を有するクロスポイントメモリ構造を提供すること。【解決手段】 本発明によるメモリ構造は、a)基板と、b)上記基板上に設けられた複数の下部電極と、c)上記下部電極上に設けられた複数の上部電極であって、上記上部電極は、上記下部電極と交差し、交差するそれぞれの位置にクロスポイントを形成する、上部電極と、d)各クロスポイントにおける上記複数の上部電極と上記複数の下部電極との間に配置されたアクティブ層であるペロブスカイト材料と、を含む。
Claim (excerpt)：
a)基板と、b)該基板上に設けられた複数の下部電極と、c)該下部電極上に設けられた複数の上部電極であって、該上部電極は、該下部電極と交差し、交差するそれぞれの位置にクロスポイントを形成する、上部電極と、d)各クロスポイントにおける該複数の上部電極と該複数の下部電極との間に配置されたアクティブ層であるペロブスカイト材料と、を含む、メモリ構造。
IPC (4)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (4)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (5)：
5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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