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J-GLOBAL ID：200903060904438659

半導体レーザ素子

Inventor： ▲広▼山 良治 ,  上谷 ▲高▼弘 ,  太田 潔 ,  米田 幸司 ,  庄野 昌幸 ,  茨木 晃 ,  吉年 慶一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996343512
Publication number (International publication number)：1997321385
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 良好な発振しきい値電流及びスロープ効率の特性を有する半導体レーザ素子を提供することが目的である。【解決手段】 n型クラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成された活性層5と、活性層5上に形成されたp型クラッド層7と、p型クラッド層7上に形成された所定幅のストライプ状欠除部を有しp型クラッド層7より屈折率が小さく且つ発振光のエネルギーより大きなバンドギャップを有する光閉じ込め層10と、を備え、この光閉じ込め層10の不純物濃度が5×1017cm-3以下である。

Claim (excerpt)：

第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された前記第1導電型とは逆導電型となる第2導電型のクラッド層と、該第2導電型のクラッド層上に形成された所定幅のストライプ状欠除部を有し前記第2導電型のクラッド層より屈折率が小さく且つ発振光のエネルギーより大きなエネルギーのバンドギャップを有する第1導電型の光閉じ込め層と、を備え、前記光閉じ込め層の不純物濃度は、5×1017cm-3以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-149738   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-167324   Applicant：三菱化学株式会社
• 量子井戸半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-214277   Applicant：古河電気工業株式会社