半導体素子およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：蛭川昌信 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995167324
Publication number (International publication number)：1996130344
Application date： Jul. 03, 1995
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】リッジまたはグルーブを有する半導体発光素子の一層の多様化を図り、任意の混晶比のAlY Ga1-Y Asからなる層をウェットエッチングして所望の形状のリッジ又はグルーブを正確に形成する。【構成】基板上に少なくともAlW Ga1-W Asからなる層に接して、第2エッチング阻止層、第1エッチング阻止層、及びAlY Ga1-Y Asからなる層を順次積層してなる半導体素子であって、該AlY Ga1-Y Asからなる層の一部、及び第1エッチング阻止層の一部が除去されている構造を有してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともAlW Ga1-W Asからなる層に接して、第2エッチング阻止層、第1エッチング阻止層、及びAlY Ga1-Y Asからなる層を順次積層してなる半導体素子であって、該AlY Ga1-Y Asからなる層の一部、及び第1エッチング阻止層の一部が除去されている構造を有してなる半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (23)

半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-277909 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-296290
特開平1-304793

半導体レーザ装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-002406 Applicant：三菱電機株式会社

特開昭63-019824

特開昭61-285781

特開平2-043790

特開昭62-073687

半導体レーザー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-248573 Applicant：ソニー株式会社

特開平3-145172

半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-189608 Applicant：シャープ株式会社

半導体レーザとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-342135 Applicant：日本電気株式会社

量子井戸半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-214277 Applicant：古河電気工業株式会社

特開平1-184973

半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-130858 Applicant：松下電子工業株式会社

特開平3-296290

特開平1-304793