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J-GLOBAL ID：200903061018804780

窒化ケイ素回路基板の製造方法

Inventor：
寧 暁山

About 寧 暁山

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木村 正美

About 木村 正美

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板花 良春

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木原 茂文

About 木原 茂文


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (1)： 澤木 誠一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999316452
Publication number (International publication number)：2001135929
Application date： Nov. 08, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：
【要約】【課題】 従来の窒化ケイ素回路基板は、高温での絶縁抵抗が低い欠点があった。【解決手段】 本発明の窒化ケイ素回路基板の製造方法においては、窒化ケイ素基板の少なくとも片面にTi,Zr,Hfなどの活性金属を含むろう材層を形成し、この基板のろう材上に銅板を配置し、真空中に於いてろう材の融点以上、銅の融点未満の温度に加熱し、銅板と窒化ケイ素基板をろう接し、銅板の上に所定形状のエッチングレジストを形成し、湿式エッチング法で所定形状の銅回路を形成し、ろう材のエッチング液で銅回路外のろう材を除去し、窒素雰囲気中においてこの銅張り窒化ケイ素基板を加熱処理し、銅表面を酸洗し、銅表面の変色層を除去し、更に、必要に応じて上記銅張り窒化ケイ素回路基板の銅の少なくとも一部分にニッケルめっき層を形成する。上記窒素中での加熱処理温度は330°C以上とする。
Claim (excerpt)：
窒化ケイ素基板の少なくとも片面に活性金属を含むろう材層を形成する工程と、この基板のろう材上に銅板を配置し、ろう材の融点以上、銅の融点未満の温度に加熱し、銅板と窒化ケイ素基板をろう接する工程と、銅板の上に所定形状の銅回路を形成する工程と、銅回路外のろう材を除去する工程と、窒素雰囲気中においてこの銅張り窒化ケイ素基板を加熱処理する工程とより成ることを特徴とする窒化ケイ素回路基板の製造方法。
IPC (4)：
H05K 3/38 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/06
FI (4)：
H05K 3/38 D ,  C04B 37/02 B ,  H05K 3/06 A ,  H01L 23/12 D
F-Term (38)：
4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BC01 ,  4G026BD02 ,  4G026BF11 ,  4G026BF24 ,  4G026BF46 ,  4G026BG02 ,  4G026BH07 ,  5E339AB06 ,  5E339BC02 ,  5E339BD03 ,  5E339BD06 ,  5E339BD11 ,  5E339BE13 ,  5E339CE12 ,  5E339CE18 ,  5E339CG04 ,  5E339EE05 ,  5E343AA24 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB67 ,  5E343CC01 ,  5E343CC26 ,  5E343CC33 ,  5E343CC34 ,  5E343CC38 ,  5E343CC50 ,  5E343DD33 ,  5E343DD76 ,  5E343EE02 ,  5E343ER18 ,  5E343ER32 ,  5E343ER36 ,  5E343ER38 ,  5E343ER39 ,  5E343GG14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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