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J-GLOBAL ID：200903061052392467

表面保護膜、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Inventor： 磯田 敬子 ,  田中 順 ,  片岡 文雄 ,  吉川 治彦 ,  小原 功
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995200936
Publication number (International publication number)：1996124917
Application date： Aug. 07, 1995
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】封止型半導体装置の封止部材の剥離およびクラックの防止。【構成】封止型半導体装置の半導体素子の表面保護膜を、下記(化1)により表される繰返し単位を5%以上有するポリイミド前駆体を含む組成物を加熱硬化させることにより形成する。ただし、R2は炭素数4以上の4価の有機基、Xは-COO-、-CO-、-NHCOO-、-NHCO-、-NHCONH-、-NH-、-NR5-または-CH2O-、Tは-(CH2)kOCOR6、-R6または-(CH2)kOR6、n=5〜100、m=0〜95、n+m=100であり、p=1〜2、k=2〜4。R6はC1〜4のアルキル基。【化1】

Claim (excerpt)：

表面保護膜を備える半導体素子と、外部との導通のための外部端子と、樹脂からなる封止部材とを備える樹脂封止型半導体装置において、上記表面保護膜は、下記一般式(化1)により表される繰返し単位を5モル%以上有するポリイミド前駆体を含むポリイミド前駆体組成物を加熱硬化させて得られるポリイミドからなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。【化1】(ただし、R1は3価または4価の芳香族基、R2は4個以上の炭素を含む4価の有機基、Xは、-COO-、-CO-、-NHCOO-、-NHCO-、-NHCONH-、-NH-、-NR5-、-CH2O-のうちの少なくともいずれかの基、Tは15個以下の炭素を含む1価の有機基を、それぞれ表し、pは1または2である。また、R5は炭素数5個以下のアルキル基である。)

IPC (5)：

H01L 21/312 ,  C08G 73/10 NTF ,  H01L 23/10 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2)：

H01L 23/30 R ,  H01L 23/30 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 感光性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-033324   Applicant：日立化成工業株式会社
• 耐熱感光性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-041083   Applicant：日立化成工業株式会社
• i線露光用感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-181529   Applicant：旭化成工業株式会社