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J-GLOBAL ID:200903061189501875

トレンチ分離を有するウェハレベルの封止マイクロデバイス及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 桑垣 衛
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006521818
Publication number (International publication number):2007516092
Application date: May. 28, 2004
Publication date: Jun. 21, 2007
Summary:
マイクロ構造(26)を収容する気密封止キャビティ(22)を有するマイクロデバイス(20)である。マイクロデバイス(20)は基板(30)と、キャップ(40)と、絶縁層(70)と、少なくとも一つの導電アイランド(60)と、そして分離トレンチ(50)と、を備える。基板(30)は上面(32)を有し、この上面の上には複数の導電配線(36)が形成される。これらの導電配線(36)がマイクロ構造(26)への電気的接続手段となる。キャップ(40)は基台部分(42)及び側壁(44)を有する。側壁(44)は基台部分(42)から外に向かって延びてキャップ(40)内のリセス(46)を画定する。絶縁層(70)は、キャップ(40)の側壁(44)と複数の導電配線(36)との間に取り付けられる。導電アイランド(60)は複数の導電配線(36)の内の少なくとも一つの導電配線に取り付けられる。分離トレンチ(50)はキャップ(40)と導電アイランド(60)配線との間に位置し、かつ分離トレンチには何も充填されない、または分離トレンチの少なくとも一部には電気絶縁材料が充填される。上の構成と同じマイクロデバイスを形成する方法も提供される。
Claim (excerpt):
マイクロ構造を収容する気密封止キャビティを有するマイクロデバイスであって、 上面を有する基板と、該基板が基板の上面の少なくとも一部の上に形成される複数の導電配線を有することと、前記導電配線はマイクロ構造に電気的接続を提供することと、 基台部分及び側壁を有するキャップと、前記側壁は基台部分から外に向かって延びて前記キャップ内にリセスを画定することと、 前記キャップの少なくとも一つの側壁と前記基板の上面の上に形成された前記複数の導電配線との間に取り付けられる絶縁層と、 前記基板及び前記複数の導電配線の内の少なくとも一つの導電配線に取り付けられる少なくとも一つの導電アイランドと、 前記キャップと前記少なくとも一つの導電アイランドとの間の分離トレンチとを備え、 前記マイクロ構造が前記気密封止キャビティの内部に取り付けられ、気密封止キャビティの少なくとも一部がキャップ内のリセスによって画定される、マイクロデバイス。
IPC (6):
B81B 7/02 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/84 ,  B81C 1/00 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/06
FI (6):
B81B7/02 ,  H01L21/76 L ,  H01L29/84 Z ,  B81C1/00 ,  H01L23/02 J ,  H01L23/06 Z
F-Term (19):
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA13 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20 ,  5F032AA35 ,  5F032AA49 ,  5F032AC02 ,  5F032DA23
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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