ドライ洗浄方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001007156
Publication number (International publication number)：2002217154
Application date： Jan. 16, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の製造過程におけるウエハ表面の洗浄を乾燥雰囲気で高効率に実現する。【解決手段】本発明は、プラズマ生成手段9により生成するプラズマの電気的作用および化学的作用と、被処理ウエハ2の表面および裏面に近接して配置する構造体4、5で形成する高速ガス流の摩擦応力による物理的作用を併用して、被処理ウエハ2の表面および裏面を洗浄することにある。

Claim (excerpt)：

真空排気手段により排気された真空容器内にて、被処理ウエハの表面および裏面に近接または接してパット型構造体をそれぞれ配置させ、該構造体と該被処理ウエハの間にガスを供給し、該構造体を被処理ウエハに対して相対的に移動させることで被処理ウエハ表面および裏面を洗浄することを特徴とするドライ洗浄方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 645 , H01L 21/304 , H01L 21/304 648 , B08B 5/02 , B08B 7/04

FI (5)：

H01L 21/304 645 A , H01L 21/304 645 C , H01L 21/304 648 G , B08B 5/02 A , B08B 7/04 Z

F-Term (8)：

3B116AA03 , 3B116AB33 , 3B116AB53 , 3B116BB44 , 3B116BB81 , 3B116BB82 , 3B116CD11 , 3B116CD41

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

微小異物除去装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-165546 Applicant：横河電機株式会社
基体表面からの気相ゴミ除去装置及び除去方法並びにプロセス装置及びプロセスライン
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-244992 Applicant：大見忠弘, 日本真空技術株式会社
エッチング後処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-224787 Applicant：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社

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