半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994039592
Publication number (International publication number)：1995249626
Application date： Mar. 10, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】チップパタ-ン等に起因する研磨残膜のバラツキの発生を抑えると共に低コスト化を図る層間絶縁膜等の平坦化方法を提供する。【構成】層間絶縁膜14上の全面にストッパ膜15を形成後、凸部分を研磨しほぼ平坦になった状態で、一旦研磨を停止する。ストッパ膜15aを等方性エッチングにより選択的に除去した後、再び層間絶縁膜14を研磨して完全に平坦化する。

Claim (excerpt)：

段差形状の表面を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、上記層間絶縁膜上の全面にストッパ膜を形成する工程と、上記層間絶縁膜と上記ストッパ膜との両膜を同一面に露出するまで研磨する工程と、上記ストッパ膜の残膜をエッチングして除去する工程と、上記層間絶縁膜を研磨して平坦にする工程とを具備する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 321

FI (2)：

H01L 21/88 K , H01L 21/302 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置,およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-026366 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置を平坦化する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-275904 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体集積回路の製造方法および構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-094677 Applicant：日本電気株式会社

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