半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996058672
Publication number (International publication number)：1997252050
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】耐湿性が低下することのない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 MESFETのゲート電極7、ソース電極6aおよびドレイン電極6bの上面をSiNの保護膜8で覆い、その上面をポリイミド樹脂膜12で覆っている。ポリイミド樹脂膜12上には下地金属層9とAuメッキ膜10からなるソース配線11a、ドレイン配線11bが形成されている。コンタクトホール13a,13bにおいて、ポリイミド樹脂膜12の開口部は保護膜8の開口部よりも大きく形成され、さらにソース配線11aおよびドレイン配線11bは、ポリイミド樹脂膜12の開口部の上縁部を覆うような大きさに形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板または半導体層上に電極が形成され、前記電極を覆うように保護膜が形成され、前記保護膜上の所定箇所に配線層がエッチングを含む工程により形成されてなる半導体装置において、少なくとも前記保護膜における前記電極を覆う段差部上に、前記配線層の形成時に前記保護膜のエッチングを阻止するエッチング阻止層が形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (4)：

H01L 21/90 B , H01L 21/302 J , H01L 21/90 A , H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

化合物半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-067265 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238103 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-308794 Applicant：松下電器産業株式会社

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