窒化ガリウムベース素子及び製造方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 今城俊夫 , 西島孝喜
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004557590
Publication number (International publication number)：2005527988
Application date： Dec. 02, 2003
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：

【課題】窒化物半導体構造及び素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体(34、234)は、成長処理中に使用されるアンモニアからシリコン基板を保護するためのアルミニウムのいくつかの単層(14、214)を堆積させ、次に、窒化アルミニウムからの核生成層(16,216)と、異なる組成を有し、GaN又は他のGa豊富な窒化物半導体の中間層(24、224)を有するAlRGa(1-R)N半導体の多重超格子(18、26、218)を含むバッファ構造(32、232)とを形成することにより、シリコン基板上(10、210)で成長する。得られる構造は、優れた結晶品質を有する。エピタキシャル成長に使用されるシリコン基板は、高電子移動度トランジスタのような素子に優れた電気特性を与えるために、素子の完成前に除去することができる。

Claim (excerpt)：

(a)シリコン基板と、 (b)前記基板の第1の表面の上に直接重なるアルミニウムの層と、 (c)前記アルミニウム層の上に直接重なる窒化物半導体の多結晶核生成層と、 (d)前記核生成層の上に重なる1つ又はそれ以上の超格子を含むバッファ構造と、を含み、前記超格子の各々は、異なる組成の複数の窒化物ベース半導体を含み、 (e)前記バッファ構造の上に重なる1つ又はそれ以上の窒化ガリウムベース半導体の作動構造、を更に含むことを特徴とする半導体構造。

IPC (1)：

H01L21/205

FI (1)：

H01L21/205

F-Term (13)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA51 , 5F045DA53 , 5F045DA54

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

国際特許公開番号WO02/48434
特許第6391748号
低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-368566 Applicant：理化学研究所, 学校法人早稲田大学

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Cited by examiner (4)

GaN系素子用基板及びその製造方法及びGaN系素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-256229 Applicant：日立電線株式会社
特許第6391748号
窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-084592 Applicant：三洋電機株式会社

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