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J-GLOBAL ID:200903061286896655

厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 曾我 道照 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002110282
Publication number (International publication number):2003043688
Application date: Apr. 12, 2002
Publication date: Feb. 13, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高感度で、メッキ耐性が良好である上に、バンプ形成用材料として好適な厚膜形成に適する厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法を提供すること。【解決手段】 (A)ノボラック樹脂、(B)可塑剤、(C)架橋剤、および(D)酸発生剤を含有することを特徴とする厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物と、該組成物を基材上に塗布、乾燥してなる膜厚5〜100μmのホトレジスト膜。さらに該組成物を電子部品の基板上に塗布し、パターニングし、メッキ処理を行うバンプ形成方法。
Claim (excerpt):
(A)ノボラック樹脂、(B)可塑剤、(C)架橋剤、および(D)酸発生剤を含有することを特徴とする厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/60
FI (5):
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 S
F-Term (16):
2H025AA01 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CC05 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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