Pat
J-GLOBAL ID：200903061363591900
表面増強赤外吸収センサーとその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008228904
Publication number (International publication number)：2009080109
Application date： Sep. 05, 2008
Publication date： Apr. 16, 2009
Summary：
【課題】より簡便・安価に製造でき、より高感度で再現性にすぐれた表面増強赤外吸収(SEIRA)センサーの製造技術を提供する。【解決手段】誘電体基板上に金属ナノ薄膜が吸着されてなる表面増強赤外吸収センサーの製造方法であって、溶液中に分散した金属ナノ粒子を基板表面に吸着させ、あるいは吸着した金属ナノ粒子を溶液中で成長させることにより製膜し、前記基板の金属ナノ薄膜が配置されている側とは反対側の面から赤外光を照射し、前記基板から染み出したエバネッセント波を検出して表面増強赤外吸収シグナルをその場モニターしながら、表面増強赤外吸収活性度を調整することにより、前記金属ナノ薄膜を扁平かつ分断された島状に成長させることを特徴とする表面増強赤外吸収センサーの製造方法。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
誘電体基板上に金属ナノ薄膜が吸着されてなる表面増強赤外吸収センサー材料であって、前記金属ナノ薄膜は、前記基板上に2次元充填率0.7以上1未満で扁平かつ分断された島状に配置され、隣接する島状部間の平均間隔が7nm以下であることを特徴とする表面増強赤外吸収センサー材料。
IPC (4)：
G01N 21/35
, G01N 21/64
, G01N 21/65
, C23C 14/04
G01N21/35 Z
, G01N21/64 Z
, G01N21/65
, C23C14/04 Z
2G043EA01
, 2G043EA03
, 2G059AA01
, 2G059AA05
, 2G059EE01
, 2G059EE12
, 2G059HH01
, 4K029BB03
, 4K029BD00
, 4K029CA01
Cited by examiner (7)
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