波長変換型半導体発光デバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006109168
Publication number (International publication number)：2006352085
Application date： Mar. 14, 2006
Publication date： Dec. 28, 2006
Summary：

【課題】半導体発光デバイスの従来技術における光学的損失を低減して、デバイスからの光取出しの効率を改善すること。【解決手段】発光領域から蛍光体中に光を効率的に取り出すことを目的として、蛍光体などの材料が、n型領域とp型領域の間に配置された発光領域を含む半導体構造体に、光学的に結合される。蛍光体は、半導体構造体の表面に直接接触した蛍光体粒、又は、半導体構造体又はその上に半導体構造体が成長させられる薄い核生成構造体に接合されたセラミック蛍光体とすることができる。蛍光体は高吸収性で高効率であることが好ましい。半導体構造体がそのような高効率、高吸収性の蛍光体中に光を放射すると、蛍光体は構造体から効率的に光を取り出し、従来技術に存在している光学的損失を低減する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

セラミック体蛍光体が第一ピーク波長の光を吸収し第二ピーク波長の光を放射するように形成された蛍光体を含むセラミック体を準備するステップと、前記セラミック体を核生成構造体に接合するステップと、前記核生成構造体上に、n型領域とp型領域との間に配置されて前記第一ピーク波長の光を放射するように形成された発光領域を有する半導体構造体を成長させるステップと、を含み、前記核生成構造体は、成長前における厚さが100ミクロンより小さいことを特徴とする方法。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 N

F-Term (9)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F041CB15 , 5F041CB36 , 5F041DA77 , 5F041DB09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-095973 Applicant：株式会社東芝
発光素子とその製造方法及びディスプレイデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-277002 Applicant：松下電器産業株式会社
面型発光素子、面型発光素子アレー、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-086569 Applicant：キヤノン株式会社

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