Pat

J-GLOBAL ID：200903023792664526

窒化物半導体基板及びその製造方法

Inventor： 若原 昭浩
Applicant, Patent owner： 豊橋技術科学大学長
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003295341
Publication number (International publication number)：2005060195
Application date： Aug. 19, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】 窒化物半導体基板の反りの防止及び低価格化【解決手段】 単結晶基板に形成された窒化物半導体層を安価なセラミックス基板に融着させ、単結晶基板を剥離除去する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

セラミック基板、及び 該セラミック基板上に融着された、下記一般式(1)で表される窒化物半導体層 (AlxGa1-x)1-yInyN (0≦x≦1,0≦y≦1)...(1) を具備することを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (5)：

C30B29/38 ,  C04B35/495 ,  C04B37/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

FI (6)：

C30B29/38 D ,  C04B37/00 C ,  H01L21/02 B ,  H01L21/02 C ,  H01L33/00 C ,  C04B35/00 J

F-Term (49)：

4G026BA03 ,  4G026BA13 ,  4G026BA14 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB12 ,  4G026BB15 ,  4G026BC01 ,  4G026BD03 ,  4G026BD08 ,  4G026BE04 ,  4G026BF06 ,  4G026BF46 ,  4G026BF51 ,  4G026BF57 ,  4G026BG02 ,  4G026BG04 ,  4G026BG06 ,  4G026BG25 ,  4G026BG27 ,  4G026BG28 ,  4G026BH06 ,  4G030AA36 ,  4G030AA47 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030AA60 ,  4G030BA12 ,  4G030BA21 ,  4G030CA07 ,  4G030CA08 ,  4G030GA32 ,  4G030GA33 ,  4G030GA34 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化物結晶基板の製造方法及び窒化物結晶基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-320517   Applicant：日立電線株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253784   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体基板およびその作製方法および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-172495   Applicant：株式会社リコー