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J-GLOBAL ID：200903061419530721

固体撮像装置

Inventor： 米田 智也 ,  小泉 徹 ,  光地 哲伸 ,  須川 成利
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000365552
Publication number (International publication number)：2001230400
Application date： Nov. 30, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 増幅型固体撮像装置において、画素領域のウエル電位の分布によるシェーディングを低減する。【解決手段】 増幅型固体撮像装置の画素領域のウエル電位を与えるためのウエルコンタクトおよびウエル配線を画素領域内に設ける。

Claim (excerpt)：

光電変換素子と増幅用トランジスタとを含む画素が2次元状に複数、配列された増幅型の固体撮像装置において、第一導電型の半導体基板内に形成された第二導電型の半導体からなる共通ウエル内に、各光電変換素子となる第一導電型の半導体受光領域が設けられ、前記共通ウエル内に、各増幅用トランジスタのソース・ドレインとなる第一導電型の半導体領域が設けられ、前記共通ウエルに基準電圧を供給するためのコンタクトが、前記共通ウエルの画素配列エリアの内側に複数、設けられていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H04N 9/07

FI (4)：

H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H04N 9/07 A ,  H01L 27/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-323975   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平2-034964
  
• 固体撮像装置及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-070537   Applicant：キヤノン株式会社
• CMOS半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330575   Applicant：三洋電機株式会社