半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998214232
Publication number (International publication number)：2000049181
Application date： Jul. 29, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体基板の電極上に、信頼性の優れた突起電極を備えた半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】半導体基板10上に複数個形成された電極11と、電極11の周辺端部上に延在するように形成された絶縁膜13と、電極11上部に形成された各めっき膜15、16と、各めっき膜15、16上に形成された突起電極17とを備えた半導体装置において、各めっき膜15、16の電極11と接する側が無電解めっき膜15にて形成され、電極11と無電解めっき膜15との間に活性化層14を備えたものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に複数個形成された電極と、上記電極の周辺端部上に延在するように形成された絶縁膜と、上記電極上部に形成されためっき膜と、上記めっき膜上に形成された突起電極とを備えた半導体装置において、上記めっき膜の上記電極と接する側が無電解めっき膜にて形成され、上記電極と上記無電解めっき膜との間に活性化層を備えたことを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/92 604 B , H01L 21/92 604 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

アルミニウム電極上へのニッケルめっき法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-223295 Applicant：松下電器産業株式会社
バンプ電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-154275 Applicant：株式会社デンソー
半導体素子および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-181610 Applicant：株式会社東芝

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