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J-GLOBAL ID：200903061734439430

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
吉田 基彦

About 吉田 基彦


Applicant, Patent owner：
カシオ計算機株式会社

About カシオ計算機株式会社


Agent (1)： 長南 満輝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006231515
Publication number (International publication number)：2008060099
Application date： Aug. 29, 2006
Publication date： Mar. 13, 2008
Summary：
【課題】 薄膜トランジスタの低抵抗のオーミックコンタクト層を酸化亜鉛膜によってバラツキが生じないように形成する。【解決手段】 真性酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層(13、14)形成用膜をスパッタリングにより成膜する。この状態では、オーミックコンタクト層形成用膜は高抵抗である。次に、オーミックコンタクト層形成用膜の上面に、プラズマCVD法により、窒化シリコンからなる第1の保護膜(15、16)形成用膜を成膜する。すると、オーミックコンタクト層形成用膜の抵抗が著しく低下する。この場合、オーミックコンタクト層形成用膜の成膜は、亜鉛をターゲットとして、酸素ガスを用いた反応性スパッタリングにより行うと、ターゲットが1つで亜鉛のみからなるので、低抵抗のオーミックコンタクト層13、14をn型不純物を含まない酸化亜鉛によってバラツキが生じないように形成することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体薄膜に対向して設けられたゲート電極と、前記半導体薄膜下にそれぞれオーミックコンタクト層を介して電気的に接続されて設けられたソース電極およびドレイン電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記各オーミックコンタクト層は低抵抗化された酸化亜鉛膜によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28
FI (7)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B
F-Term (50)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD64 ,  4M104EE05 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK11 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 酸化亜鉛透明導電膜
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-234945   Applicant：ローム株式会社
Cited by examiner (2)

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