Pat
J-GLOBAL ID：200903061765549331
歪多重量子井戸構造およびその製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997038882
Publication number (International publication number)：1998242571
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】井戸層に圧縮歪を有するInGaAs、障壁層にInGaAsまたはInGaAsPを用いる歪多重量子井戸構造において、+1.2%よりも大きな歪量の井戸層を用いた場合においても良質な結晶が得られる素子構造とその製造方法を提供する。【解決手段】InP基板上に、基板の格子定数に対し+1.2%以上の圧縮歪を有するInGaAsからなる井戸層と、基板の格子定数に対する歪量が±0.2%以内で、膜厚が15nm以上のInGaAsもしくはInGaAsPからなる障壁層とを少なくとも積層した歪多重量子井戸構造とする。薄膜の成長温度を480°C以上、540°C以下の範囲となし、障壁層を成長する際のV族原料ガスの総供給量を、井戸層を成長させる際のV族原料ガスの総供給量の2倍以上とする工程を含む歪多重量子井戸構造の製造方法とする。
Claim (excerpt)：
InP基板上に、該基板の格子定数に対し+1.2%以上の圧縮歪を有するInGaAsからなる井戸層と、上記基板の格子定数に対する歪量が±0.2%以内で、膜厚が15nm以上のInGaAsもしくはInGaAsPからなる障壁層とを少なくとも積層してなることを特徴とする歪多重量子井戸構造。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
-
量子井戸レーザおよびその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-064796
Applicant：日本電信電話株式会社
-
圧縮歪多重量子井戸構造
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-343253
Applicant：日本電信電話株式会社
-
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-035572
Applicant：株式会社日立製作所
Return to Previous Page
