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J-GLOBAL ID：200903080352291551

圧縮歪多重量子井戸構造

Inventor： 小笠原 松幸 ,  杉浦 英雄 ,  満原 学
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996343253
Publication number (International publication number)：1998190143
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】井戸層と障壁層との間の歪の食い違いを小さくして、障壁層の不安定性に起因する多重量子井戸構造(MQW)の破壊を防止した構造が安定で光学特性にすぐれた圧縮歪多重量子井戸構造を提供する。【解決手段】InP基板に対して、少なくとも圧縮歪を有するInGaAs井戸層と、圧縮歪を有するInGaAsPの障壁層もしくはInGaAsの障壁層を積層してなる圧縮歪多重量子井戸構造とする。

Claim (excerpt)：

InP基板に対して、少なくとも圧縮歪を有するInGaAs井戸層と、圧縮歪を有するInGaAsPの障壁層もしくはInGaAsの障壁層を積層してなることを特徴とする圧縮歪多重量子井戸構造。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 多重量子井戸構造半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-251776   Applicant：株式会社日立製作所
• 歪多重量子井戸半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-012291   Applicant：松下電器産業株式会社
• 歪多重量子井戸半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-207743   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置,及び半導体レーザ,並びに高電子移動度トランジスタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-263306   Applicant：三菱電機株式会社