薄膜の形成方法及びそれを用いた電子装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995099228
Publication number (International publication number)：1996017726
Application date： Apr. 25, 1995
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】基板上に形成した薄膜を短波長紫外線でパターン状に露光し、熱処理して露光部分を残すことにより簡単に微細パターンを形成する方法を提供する。【構成】基板上に式(1)や式(2)で示した有機金属化合物を重合したシリコンネットワークポリマ薄膜を形成し、次に該シリコンネットワークポリマ薄膜に350nmより短波長の紫外線をパターン状に照射し、次いでこの薄膜を200〜1000°Cに加熱処理すると、露光部分は耐熱性の高いSiO骨格が形成されるために熱処理後も残存し、非露光部は揮発して、エッチング処理無しで導電性(SiC),半導体性(a-Si),絶縁性(SiO2),光透過性(SiO2)等の機能を有する微細薄膜パターンを形成することができる。(但し、R1,R2,R3は炭素数10以下の脂肪族基,フッ素化脂肪族基,芳香族基からなりそれぞれが異なっても互いに同じでもよい。)

Claim (excerpt)：

基板上にシリコンネットワークポリマ薄膜を形成した後、(イ)該シリコンネットワークポリマ薄膜に酸素の存在下で電磁波を照射する工程と、(ロ)該シリコンネットワークポリマ薄膜を酸素の存在下で200〜1000°Cに加熱処理する工程の少なくとも1つの工程を含むことを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 7/075 511 , G03F 7/36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

無機シリコン材料粉末とケイ素乃至ゲルマニウム系化合物とからなるハイブリッド薄膜、およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-074939 Applicant：大阪瓦斯株式会社
有機シリコン高分子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-203608 Applicant：日本電信電話株式会社
特開昭64-085983

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