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J-GLOBAL ID：200902139999249710   Reference number：02A0103276

On the Advanced Control Techniques of Crystal Growth using Seed Crystals or Nuclei. Recent Studies on GaN Single Crystal Growth using a Na Flux.

バルク成長分科会特集 種結晶(核)からの結晶成長制御について 最近のNaフラックスを用いたGaN単結晶育成に関する研究

Author (3)： YAMANE HISANORI (東北大 多元物質科研) ,  AOKI MASATO (東北大 多元物質科研) ,  SHIMADA MASAHIKO (東北大 多元物質科研)
Material： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
Volume： 28  Issue： 5  Page： 316-321  Publication year： Dec. 25, 2001 
JST Material Number： F0452B  ISSN： 0385-6275  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *flux growth ,...
Semi thesaurus term： 板状晶

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (17)：

• 1) MONEMAR B. J. Mater. Sci., Mater. Electron.. (1999) vol.10, p.227.
• 2) KRUKOWSKI S. Cryst. Res. Technol.. (1999) vol.34, p.785.
• 3) 井上孝行. 応用物理. (2001) vol.70, p.567.
• 4) PARK S. S. Jpn. J. Appl. Phys. (2000) vol.39, p.L1141.
• 5) MOTOKI K. Jpn. J. Appl. Phys. (2001) vol.40, p.L140.

Terms in the title (11)： バルク ,  成長 ,  分科会 ,  種結晶 ,  核 ,  結晶成長 ,  Na ,  フラックス ,  GaN ,  単結晶育成 ,  研究