Pat
J-GLOBAL ID：200903062021497828

緻密質低熱膨張セラミックスおよびその製造方法ならびに半導体製造装置用部材

Inventor：
和田 千春

About 和田 千春

, 
酒巻 誠

About 酒巻 誠


Applicant, Patent owner：
太平洋セメント株式会社

About 太平洋セメント株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000122549
Publication number (International publication number)：2001302340
Application date： Apr. 24, 2000
Publication date： Oct. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 低熱膨張性で気孔率が小さくボイドの少ない緻密質低熱膨張セラミックスおよびその製造方法を提供すること、および、このような緻密質低熱膨張を用いた半導体製造装置用部材を提供すること。【解決手段】 ユークリプタイトと窒化ケイ素および/または炭化ケイ素とから実質的になり、気孔率が0.5%以下、最大ボイド径10μm以下、10〜40°Cにおける熱膨張係数を1×10-6/°C以下とした緻密質低熱膨張セラミックス。このセラミックスで半導体製造装置用部材を構成する。
Claim (excerpt)：
ユークリプタイトと窒化ケイ素および/または炭化ケイ素とから実質的になり、気孔率が0.5%以下、最大ボイド径10μm以下、10〜40°Cにおける熱膨張係数が1×10-6/°C以下であることを特徴とする緻密質低熱膨張セラミックス。
IPC (6)：
C04B 35/19 ,  C04B 35/565 ,  C04B 35/584 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68
FI (6)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N ,  C04B 35/18 A ,  C04B 35/56 101 B ,  C04B 35/58 102 B ,  H01L 21/30 503 Z
F-Term (27)：
4G001BA22 ,  4G001BA32 ,  4G001BA65 ,  4G001BB22 ,  4G001BB32 ,  4G001BB65 ,  4G001BC52 ,  4G001BC55 ,  4G001BD05 ,  4G001BE33 ,  4G030AA02 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA47 ,  4G030AA52 ,  4G030AA67 ,  4G030BA18 ,  4G030BA24 ,  4G030HA25 ,  5F031HA02 ,  5F031PA11 ,  5F045BB08 ,  5F045EC05 ,  5F045EM09 ,  5F046CB02 ,  5F046CC01 ,  5F046CC10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM