自励発振型半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996321637
Publication number (International publication number)：1998163566
Application date： Dec. 02, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】動作寿命が長く、閾値の小さい安定した良好な特性を有する自励発振型半導体レーザ素子を提供する。また、光ディスク装置のピックアップ用光源として用いた際、レーザーの戻り光雑音を低減させ、高性能な光ディスク装置を低コストで実現可能とする自励発振型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】可飽和吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子において、可飽和吸収層における可飽和吸収層を構成する半導体層の内で最小の禁制帯幅を有する半導体層1の格子欠陥密度が、活性層を構成する半導体層の内で最小の禁制帯幅を有する半導体層2の格子欠陥密度の5倍以上であることを特徴とする自励発振型半導体レーザ素子

Claim (excerpt)：

可飽和吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子において、少なくとも1つの可飽和吸収層における可飽和吸収層を構成する半導体層の内で最小の禁制帯幅を有する少なくとも1つの半導体層1の格子欠陥密度が、活性層を構成する半導体層の内で最小の禁制帯幅を有する少なくとも1つの半導体層2の格子欠陥密度の5倍以上であることを特徴とする自励発振型半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

自励発振型半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-049366 Applicant：三洋電機株式会社
特開平3-003384
半導体成長方法および半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-088159 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Return to Previous Page