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J-GLOBAL ID：200903062271860057

放射線検出器

Inventor：
青木 徹

About 青木 徹

, 
畑中 義式

About 畑中 義式


Applicant, Patent owner：
国立大学法人静岡大学

About 国立大学法人静岡大学


Agent (1)： 梅村 勁樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004251751
Publication number (International publication number)：2006073575
Application date： Aug. 31, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：
【課題】化合物半導体を用いる放射線検出器において、検出素子を複数配列する際の検出素子間の電気的分離を改善する。 【解決手段】図4左に示すように、基板(1)にp-型半導体を用い、n+層(3)のドーピングを行う。隣接する検出素子間ではn-p-n接合となり、電流が流れない。また、図4中で示すように、n層をドーピングする前にp層を作成することも考えられる。これは、検出素子間に選択的に作成した例である。上面全体にp層を作成し、その上からn+層を島状(スポット状)に形成するものであってもよい。n+層には信号を取り出すための電極を設ける。また基板の反対側には共通電極を設けるものとする。共通電極側にはp+層をドーピングなどにより作成しておいてもよい。さらにレーザ加工により、分離溝(6)を作成する。ここではpのドーピングを行っていない例を示している。分離溝(6)の形成はカッター切り込みによることも可能である。 【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
II-VI族半導体を用いる放射線検出器において、II-VI族半導体の片面に各検出素子ごとに形成されたドーピング層と、前記検出素子間を電気的に分離する検出素子用としてのドーピング層とは逆の導電性を有する半導体部分を設け、前記ドーピング層に信号電極を設け、反対面に共通電極を設けてなる放射線検出器。
IPC (3)：
H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  H01L 31/09
FI (3)：
H01L27/14 K ,  G01T1/24 ,  H01L31/00 A
F-Term (22)：
2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ37 ,  4M118AB01 ,  4M118BA03 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118FA25 ,  4M118FA27 ,  5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AB09 ,  5F088BA20 ,  5F088BB10 ,  5F088EA04 ,  5F088EA13 ,  5F088LA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特開昭63-29971号公報
  • 放射線検出器の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-219860   Applicant：静岡大学長
Cited by examiner (5)
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