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J-GLOBAL ID：200903062489782503

半導体レーザの製法

Inventor：
市原 淳

About 市原 淳


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996109197
Publication number (International publication number)：1997298339
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 基板を厚くして製造工程における取扱を容易にすると共に、劈開時の問題や、光ディスクなどの用途における戻り光の問題も生じない半導体レーザの製法を提供する。【解決手段】 基板(GaAs基板11)の表面に発光層15を構成する半導体層をエピタキシャル成長し、前記基板上に半導体層が成長されたウェハ1を切断分離して端面に発光面を有するレーザチップを形成する半導体レーザの製法であって、前記発光面を有する面における前記ウェハの切断分離を前記基板に加工溝4を設けた後に劈開により行う。
Claim (excerpt)：
基板の表面に発光層を構成する半導体層をエピタキシャル成長し、前記基板上に半導体層が成長されたウェハを切断分離して端面に発光面を有するレーザチップを形成する半導体レーザの製法であって、前記発光面を有する面における前記ウェハの切断分離を前記基板に加工溝を設けた後に劈開により行うことを特徴とする半導体レーザの製法。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/301
FI (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/78 V ,  H01L 21/78 U
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
  • 特開平4-262589
  • 特開平4-262589
  • 特開平2-033948
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